
功率二极管与肖特基二极管的根本区别源于其内部结构与载流子行为的不同。前者基于传统的PN结结构,后者则采用金属-半导体接触形式,这直接决定了它们在电气性能上的巨大差异。
在高温环境下,两者的表现截然不同:
| 指标 | 典型值(功率二极管) | 典型值(肖特基二极管) |
|---|---|---|
| 最大反向电压 | 600V ~ 2000V | 20V ~ 200V |
| 正向压降 (IF=1A) | 1.0V | 0.3V |
| 反向恢复时间 (trr) | 100~500 ns | 10~50 ns |
| 反向漏电流 (IR, 25°C) | 1 μA | 100 μA ~ 1 mA |
| 工作温度范围 | -40°C ~ +150°C | -40°C ~ +125°C |
近年来,出现了一些结合两者优点的新型器件,如:
碳化硅(SiC)肖特基二极管:兼具高耐压(可达1700V)、低正向压降(0.7–1.0V)、极快开关速度,成为下一代电力电子器件的重要方向。
快恢复二极管(FRD):在功率二极管基础上优化反向恢复时间,适用于中高频应用。
功率二极管与肖特基二极管并非替代关系,而是互补关系。正确理解其物理机制、性能优劣和应用场景,才能在电路设计中做出科学选型,提升系统整体性能与可靠性。
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